台經觀點

陸推進NAND Flash進程與市況之展望(旺報)
劉佩真

2019/02/12

      2018年長江存儲自主研發進展順利,2018年底32層64G 3D NAND開始量產,2019年第三季亦將進入64層3D NAND Flash領域,2020年更規畫跳過96層而直接跨入128層3D NAND Flash產品,同時南京、成都儲存晶片/蘇州SSD工廠也相繼動工,顯然長江存儲已開始於2019年進入全球NAND Flash供應商的行列。

      事實上,2018底年隨著長江存儲的產能開始釋出,該陣營更宣布將要在2023年實現每月30萬片晶圓的產能,滿足大陸境內NAND Flash需求量的50%,加上合肥長鑫2018年內底推出8Gb LPDDR4,2019年第三季正式投片,目標至2019年底達到2萬片產能,代表大陸跨入記憶體市場,不過整體進展未如原先預期順利,主要是福建晉華與聯電的部分因與Micron產生專利糾紛、竊密案,而在2018年11月被美國進一步祭出禁售令的制裁,導致福建晉華DRAM生產進度幾乎已經宣告停擺。

      此外,紫光國微的DDR4 DRAM雖然目前已經基本完成了設計、開發工作,但受限於大陸境內無適合的DRAM晶圓廠,無法投入生產,更何況美、日、韓陣營仍對長江存儲、合肥長鑫、紫光國微的專利授權情況予以高度關注,不排除未來先進國家仍會對大陸量產記憶體採取其他制裁動作;然而大陸也正力求突圍,如對岸針對全球DRAM三巨頭的反壟斷調查,已從DRAM價格壟斷,轉向NAND Flash捆綁銷售,而三大巨頭不繳罰金的交換條件,將是停止或中斷對大陸記憶體業者的專利侵權訴訟。

      整體而言,儘管全球NAND Flash供應大廠多祭出調降資本支出、放緩製程微縮的速度,但因需求面仍顯疲弱,畢竟美中貿易戰的不確定性影響下游出海口市場的需求水位,故該產業供需失衡態勢難以抵擋,導致2019年全球NAND Flash恐仍延續2018年的跌勢,且跌幅依舊有高於2018年的機會,此對於開始量產的大陸主流記憶體晶片大廠長江存儲將相對不利,短期內公司獲利恐難以正面看待;若以上下半年觀之,雖然2019年第三季起隨著5G商轉帶動伺服器需求趨於活絡,但NAND Flash中的3D TLC、QLC製程良率漸趨穩定,使得NAND Flash價格仍備受挑戰,尚無法出現止跌的態勢。

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