2017年中國半導體預料將由目前的半導體封測主導的全球分工格局逐步走向集成電路設計、集成電路製造，以及材料與設備逐步突破的方向全面發展，不但產業鏈趨於完整，集群效應也開始顯現，等同中國半導體業的發展即將再下一城。
2015至2020年中國半導體產業規模的年複合成長率將超過兩成，遠高於全球平均3-5%的增幅。而隨著中國2025製造、互聯網+等戰略實施之下，中國半導體產業在全球的市占率更將進一步擴大，顯示產業黃金發展期已至。
事實上，物聯網、汽車電子帶來巨大的新興市場，將給予中國半導體廠商更大的空間與機會，更何況中國本身是全球最大的下游終端需求與加工市場，存在巨大的國產替代空間，顯然中國相對於日本、南韓、台灣的獨有優勢，即是龐大的內需市場。藉由市場的磁吸效應，加上提供優渥的薪酬與其他配套福利，正不斷吸引來自於全球的技術與人才。再者，摩爾定律開始放緩，也給予中國廠商更長的學習時間，使其與國際大廠的差距獲得縮小的機會。
除此之外，政策支持力道持續不間斷，特別是國家集成電路產業投資基金發揮關鍵的作用，截至2016年8月底，該基金承諾投資超過638億元人民幣，帶動社會投資超過1500億元人民幣，而投資中國企業龍頭公司的家數達到27家，投資項目為37個，更重要的是，國家集成電路產業投資基金不僅在產業鏈重要環節扶植重點公司，也戰略性地引導差異化競爭，提高產業發展的效率。
在細項產業發展方面，2017至2018年中國記憶體產業將進行0－1的突破，其中紫光集團動作頻頻，2016年底宣布總額高達240億美元的投資案，計畫在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D NAND FLASH廠，將由旗下的長江存儲來執行此規畫，第一期計畫預定2018年建成啟用投產，2020年全部完工，每月產能將達到30萬片。
短期內首要觀察的是紫光集團的3D NAND FLASH是否能順利於2018年投產，畢竟其技術來源是以SPANSION為主，是否能由其過去在MIRRORBIT、SLC NAND等技術優勢延伸至3D NAND FLASH，尚有疑慮。
不過中長期來說，中國在記憶體市場勢必將找到突破口，也將打破全球記憶體市場由南韓、日本、美國等業者寡占的局面。
至於2017年中國晶圓代工的發展主軸仍將以中芯國際為重，除持續搶攻先進製程、成熟製程、特殊製程的布局外，年產能大幅擴充將是營運的重心，中芯國際除宣布在上海廠區投資興建新的12吋集成電路生產線共計新增總投資近千億元人民幣之外，同時也將擴充位於天津西青經濟技術開發區8吋廠的產能，更將在深圳新設12吋晶圓生產線，顯示採取產能充分擴張政策。