評論觀點

淬鍊不凡 將是未來台積電的目標(工商時報)
劉佩真

2018/06/06

      台積電董事長張忠謀於2018年6月5日股東會後退休,宣告1986年台積電成立迄今的張忠謀時代正式畫下句點,也開啟劉德音董事長、魏哲家總裁共治台積電的階段,而台灣最具競爭力的公司--台積電,未來是否能淬鍊不凡而再登高峰,將是市場矚目的焦點,畢竟短期內競爭對手動作頻頻,包括SAMSUNG提及將3GAAE與3GAAP納入技術藍圖更新內容中、GLOBAL FOUNDRIES以2022年導入3奈米製程為目標、INTEL擁有美國製造與美國優先的後盾、中芯國際在中國半導體國產化目標中扮演關鍵角色,更何況中美貿易摩擦有朝向常態化及長期化的趨勢發展,顯然全球晶圓代工行業的競爭局面將趨於激烈與複雜。

      而SAMSUNG仍是台積電現階段頭號的競爭對手,特別是2017年5月SAMSUNG將原屬於系統LSI事業部的晶圓代工事業組獨立成為新部門,以及提出多專案晶圓服務的計畫,企圖開發各界晶圓代工的客戶,且近期又在半導體暨裝置解決方案事業部(DS)底下成立名為「晶圓代工研究所」的研發單位,顯然在記憶體事業強力發展之餘,SAMSUNG全面搶食晶圓代工市場的企圖心不言可喻。更重要的是,2018年5月SAMSUNG晶圓代工論壇除向客戶展示2018年下半年將在公司LSI旗下產品導入7奈米EUV製程,關鍵IP正在研發,預定2019年上半完成之外,也揭露未來技術發展藍圖,包括2020年上半年進入5LPE製程(5NM LOW POWER EARLY)、2021年導入4LPE (4NM LOW POWER EARLY),其中4奈米將是SAMSUNG採用鰭式場效電晶體(FINFET)的最後一代製程,爾後3奈米製程SAMSUNG將採用全新的環繞式閘極結構(GATE ALLAROUND;GAA),用環繞式的電網取代鰭狀結構,來克服FINFET的微縮限制,預計2022年有機會導入3GAAE/3GAAP(3NM GATE-ALL-AROUND EARLY/PLUS)製程,顯然SAMSUNG的技術發展藍圖之進程規畫依舊以緊跟台積電為目標;不過在EUV快速於7奈米初期就切入恐導致良率不佳,況且缺乏APPLE的訂單支援,客戶基礎仍顯薄弱之下,SAMSUNG晶圓代工事業部未來營運仍有待考驗。

      至於GLOBAL FOUNDRIES部分,未來除將在美國與德國之間擇一來興建新12吋廠之外,近期公司更喊出將以2022年導入3奈米製程為目標來縮短與競爭對手的差距,然而除資金籌措問題之外,公司製程常採取跳躍式的作法,缺乏漸進式的布局基礎,導致先進製程良率表現不佳,甚至大客戶AMD也在7奈米導向台積電陣營,意謂鞏固既有客戶需有更優質的製造技術,此皆是GLOBAL FOUNDRIES所需面臨的難題。

      整體來說,由於台積電在晶圓代工產業的關鍵競爭要素,皆有相當高水準的表現,也就是說原先台積電在製程的廣度、製造良率與效率、製程設備的共用性、量產成本、客戶群基礎、供應商角色定位相確等層面的競爭力就遠優於其他競爭同業,特別是台積電能以258種不同製程,為465個客戶生產9,920種不同產品,再加上台積電在先進製程的藍圖規畫與執行,有著穩健的優異表現,目前規劃部分導入EUV的7奈米強化版會於2019年量產,全數採用EUV的5奈米則會在2020年量產。

      台積電更已選定台南科學園區晶圓廠作為3奈米的基地,2022年可進入量產階段,況且為維持在先進製程的領先優勢,台積電也積極加強在封裝技術的布局,同時未來將以高效能運算、汽車電子、物聯網、行動裝置等四大市場應用的成長動能引領台灣半導體產業向前邁進,因此預料台積電2019年起的全球市佔率仍將穩步突破六成大關,依舊穩居晶圓代工龍頭的地位。

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