中美貿易摩擦 對陸記憶體發展之影響(工商時報)
劉佩真
2018/05/04
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2018年適逢中美貿易摩擦期間，美方乃至於其他先進國家對於中方是否有竊取智慧財產權的議題特別重視，此對於中國2018年下半年至2019年即將要量產的記憶體格外敏感，主要是國際大廠佈下綿密的專利網、且力阻中國進行海外記憶體廠的購併，且先前市場雖然傳出INTEL與MICRON在第三大3D NAND FLASH之後分道揚鑣，且INTEL後續不排除會以技術授權方式加速攜手中國紫光集團，但在美方政府採取嚴控，慎防關鍵半導體技術外流之際，此案恐無疾而終，更何況紫光集團先前不論是想以230億美元購買MICRON，或是嘗試購買WD、TOSHIBA皆未成，故中國在無技術授權來源、記憶體人才短缺之下，2018年下半年～2019年中國要進入記憶體國產化的量產恐有疑慮。
如2017年底~2018年以來聯電與MICRON呈現互相訴訟的情況，主要是由於2016年1月聯電和中國福建省晉華電路有限公司協議32奈米及32S奈米DRAM技術開發協議，爾後聯電於2016年2月在台南市科學園區成立「新事業發展中心」，設立一系列部門研發，並有來自於MICRON的員工加入；而隨著福建晉華即將於2018年底前開始量產利基型DRAM，MICRON則開始啟動法律訴訟的動作，除MICRON控告聯電及原本的MICRON的員工之外，並於2017年12月在美國加州法院向聯電及技術團隊成員提起民事訴訟和損害賠償，並將福建晉華列為共同被告，顯然MICRON防堵聯電與中國業者切入記憶體市場的動作相當明顯。
事實上，以目前中國記憶體三大陣營來看，依舊以紫光集團與武漢新芯一期的規劃投資額240億美元最高，月產能將達30萬片，也將是中國唯一3D NAND FLASH技術的研發陣營，甚至長江存儲投入32層3DNAND FLASH技術研發，2017年11月號稱已研發成功，不過初步規畫至2018年底月產能僅5,000萬片，2019年則進入64層128G 3D NAND FLASH技術研發階段，然後續量產良率、專利授權問題仍有待觀察；其次則為專注於行動式記憶體的合肥睿力與兆易創新，一期投資額為72億美元，屆時月產能為12.5萬片，再者投入於利基型記憶體福建晉華一期投資額為56.5億美元，屆時月產能為6萬片，不過合肥睿力與兆易創新、福建晉華試產時程將會落於2018年第三季，量產則暫定在2019年的上半年，時程皆較原規劃落後。
而若以中國三大記憶體陣營量產製程與國際大廠之差距來看，仍是存有相當的差距，以長江存儲的NAND FLASH來說，2018年雖然將量產32層3D NAND FLASH，但國際大廠如SAMSUNG、MICRON、SK HYNIX、TOSHIBA等主流製程已演進至64/72層3D NAND FLASH，更何況除全球記憶體大廠技術持續推進，中國廠商迎頭趕上的挑戰性高之外，中國若無法取得海外公司的技術授權，很難做出有競爭力的產品，若是侵犯專利的產品，恐連中國本土品牌公司亦不敢下單，未來仍須面對不少法律上的問題，其中中國發展DRAM產業難度將高於NAND FLASH，甚至初期將以內需市場為主。
整體而言，因先前中國智慧型手機企業飽受記憶體產品短缺的困擾，且記憶體對國家資訊安全的重要性高，更何況記憶體為中國實現半導體自給率提升的重要關鍵產品，特別是受到中興電訊事件的影響，更加激起對岸發展半導體核心產品的動能，故中長期來說，中國勢必會竭盡所能積極發展記憶體，中長期此決心仍不容忽視。
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