今年DRAM、NAND FLASH的兩樣情(工商時報 )
劉佩真
2018/06/22
|
繼2017年DRAM、NAND FLASH雙雙呈現價量齊揚，推升全球半導體銷售額強勁成長，並首度超越4,000億美元大關之後，2018年DRAM、NAND FLASH價格則呈現兩樣情，出現一漲一跌的局面，其中的關鍵則是供給端的部分，特別是國際大廠是否突破製程瓶頸，將攸關整體市場的供需結構。
首先在DRAM市場方面，2018年SAMSUNG將DRAM產線轉換為影像感測器產線，使DRAM投片量減少，不過減少的部分將由華城16產線與平澤1廠二樓的增設投資彌補，但整體而言，2018年SAMSUNG的新增DRAM產能仍是有限，加上SK HYNIX的新廠產能恐須待2019年才可望量產，甚至來自於中國DRAM產能的開出，仍有相當的疑慮，因而2018年全球DRAM供給端的增加依舊在可控制的範圍內。而2018年全球DRAM需求端除手機配備持續提高之外，資料中心布建需求亦是推動來源，更重要的是，雖然中國對於挖礦熱祭出重罰，不過比特大陸將推出以太礦機，一個特殊應用積體電路晶片就需搭載172顆1 GB的DDR3晶粒，藉以提升運算效能來看，仍有利於2018年全球DRAM的需求表現。
綜而言之，由於2018年底前國際三大DRAM廠新產能開出極為有限，僅靠製程微縮增加的部分，因此2018年以來全球DRAM價格仍延續2016年下半年以來上揚的走勢，不管是首季或是第二季，DRAM價格季增率均達到5~10％，顯然DRAM市況優於年初預期。
另外2018年DRAM市場值得留意的尚有中國發展的態勢，儘管中國在無技術授權來源、記憶體人才短缺之下，2018年底~2019年中國要進入記憶體國產化的量產恐有疑慮；不過為此，中國官方也頻頻出招，即中國反壟斷機構已經盯上SAMSUNG、SK HYNIX與MICRON等三家DRAM大廠，甚至傳出恐面臨8億~80億美元的罰款，表面上雖是在解決中國終端應用廠商面臨記憶體飆漲的窘境，但實際上恐是預留未來中國記憶體廠爭取談判的籌碼；事實上，因先前中國智慧型手機企業飽受記憶體產品短缺的困惱，且記憶體對國家資訊安全的重要性高，更何況記憶體為中國實現半導體自給率提升的重要關鍵產品，特別是受到中興電訊事件的影響，更加激起對岸發展半導體核心產品的動能，故中長期來說，中國勢必會竭盡所能積極發展記憶體，此決心仍不容忽視。
其次在NAND FLAHS市場方面，儘管受惠於智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動，以及SSD滲透率提高，拉抬對於NAND FLASH的需求，但2018年以來全球NAND FLASH市場已呈現供過於求的局面，主要是國際大廠加速更高層堆疊及四階儲存單元（QLC）產品開發，以求提升3D NAND儲存密度及降低生產成本，故以32G（4G*8）MLC（美元/個）收盤價而言，則由2017年8月的3.10美元/個降至2018年5月的2.74美元/個，甚至2018年第三季全球NAND價格恐難以反轉向上，主要係因更多64層和72層3D NAND產能相繼釋出，甚至單顆容量更大、成本更具競爭力的3D-QLC FLASH技術，預計最快2018年下半邁入量產所致。
值得一提的是，TOSHIBA記憶體標售案已於2018年5月中旬獲得中國核准，整體交易案確定於2018年6月1日完成，也意謂BAIN CAPITAL、SK HYNIX、日本政策投資銀行（DBJ）及日本產業革新機構（INCJ）等將陸續入主，美日韓聯盟儼然成立，但複雜的股權交易與多頭馬車式資本組成，是否能有效提升TOSHIBA記憶體在全球NAND FLASH的市場競爭力，以及未來TOSHIBA記憶體如何與WD繼續合作，運用此結盟關係，將有待後續觀察。
|