大陸學習南韓發展記憶體的IDM模式，希望利用雙軌並進的方式加速建立半導體完整的產業鏈，因此利用大舉挖角或是與台灣業者進行技術合作，醞釀記憶體產業從無到有，並定調2019年將為中國記憶體元年。但是本月初美國商務部將福建晉華列入出口管制實體清單，以國安為由，美國企業對其進行技術輸出。顯然美國繼中興通訊事件後，再次祭出較關稅更令大陸憂心的禁售手段，此舉將延宕中國記憶體的發展進程，與中國記憶體廠商有合作關係的國際供應商也將遭到波及。
中國記憶體行業主要是以布局NAND Flash的長江存儲、行動式記憶體的合肥長鑫、利基型記憶體的福建晉華等為代表勢力。其中紫光集團宣稱已經研發出32層64G的完全自主知識產權的3D NAND Flash，2018年將實現量產，但32層3D NAND Flash量產規模仍有限，單月僅約5000片，爾後更宣布已自主開發完成最先進的64層3D NAND Flash晶片專利，預計2019年完成生產線建置、2020年開始量產。
另外福建晉華則是攜手聯電來搶攻利基型DRAM市場，即將啟動20或30奈米級DRAM量產，月產能可望來到6萬片12吋晶圓的生產規模；再者則是合肥睿力與兆易創新陣營，將投入180億元人民幣研發19奈米DRAM技術，其中兆易創新出資20%，目標2018年12月底研發成果達到產品良率不低於10%的目標。爾後則是於今年7月合肥長鑫宣布開始投產8Gb LPDDR4 DRAM記憶體，後續公司規畫2019年第三季推出8Gb LPDDR4 DRAM產品，至2019年底，產能將達到每月2萬片的規模，且從2020年開始將規畫2廠的興建，並於2021年則完成17奈米製程的研發。
不過就在中國主要記憶體陣營看似將開始進入發展初期之際，美中貿易戰由關稅的手法升溫為非關稅貿易的障礙，美國商務部以國家安全為由，禁止美國企業出售零組件、技術給予福建晉華。對於美國來說，除可支援先前Micron與福建晉華的訴訟之外，也可有效阻擋中國發展記憶體的步伐，鞏固美國在全球記憶體僅次於南韓的地位，也可增加後續美國對中國貿易戰的談判籌碼。但是美國此次封殺福建晉華，多少也影響美國自家部分半導體設備廠商的訂單出貨情況。
對於中國來說，先前市場較為憂心的是3大記憶體陣營若無法取得海外公司的技術授權，恐較難做出有競爭力的產品，若是有專利上的疑慮，會影響客戶下單的意願。而目前市場更預計，若福建晉華未來無法取得來自於美國的半導體設備、軟體，甚或是其他國家的供應鏈也感受到來自於美國的壓力，則將使中國記憶體元年的進程出現延宕。
再者，以目前中國記憶體陣營量產製程與國際大廠之差距來看，仍有相當的差距，不論是福建晉華或是合肥睿力與兆易創新陣營，亦或是長江存儲均有所落後，更何況全球記憶體大廠技術仍持續向前推進，因而中國廠商未來該如何扭轉逆勢而完成自建記憶體的目標，是十分嚴峻的挑戰。