本文刊登於今日合庫，第525期
在快速變遷之半導體產業環境，以及日益擴大之資本設備投資額下，我國獨特之專業分工模式，確實符合了產業趨勢需求，故專業分工之產業結構為我國半導體產業與國外發展結構上最大之不同點。台灣半導體產業因專業分工模式獨步全球，2017年在全球半導體產值排行僅次於美國、韓國而位居第三，超越日本、歐洲、中國、新加坡，這個國際領先地位與重大成就是台灣的驕傲，而未來幾年，台灣恐怕沒有其他產業可超越目前半導體的地位。
事實上，半導體業實為台灣主力產業，更使台灣在全球科技經濟發展中佔有舉足輕重、不容忽視的地位，甚至未來全球創新經濟的物聯網、5G、工業4.0、人工智慧、機器人、車用電子、虛擬實境與擴增實境等領域，半導體都有著重要的戰略性角色，此皆顯示半導體業應是政府不容忽視的重點行業，更是未來台灣產業創新發展的基礎。
2018年我國半導體產業產值來到2.55兆元的水準，仍延續2012年以來成長的走勢；但因中美貿易摩擦難以在短期內結束，且攻勢已牽涉到國家安全與高科技技術主導權，讓情勢發展更趨詭譎，由於台灣高科技產業與中美供應鏈連結緊密，因此面臨兩強衝突，我國半導體業也壟罩於不確定的格局之中，致使2018年國內半導體業產值增幅恐僅有3.56%。
面對國際競合局勢的變化，除中美貿易摩擦已延伸至科技產業，對於半導體業的影響亦值得關注之外，我國需特別提防來自於中國的競爭，主要是對岸在地化發展動能並未消退，尤其對岸擅長扮演價格的破壞者角色，技術層次上更快速拉近與我國的差距，同時2017~2018年中國轉為更多自主研發或積極搶奪國際半導體相關人才，台灣則成為中國半導體業競相挖角的人才庫，造成我國面臨半導體人才流失的情況。其次在美、日、韓部分，則需提防美國製造與美國優先政策恐更加鞏固美國半導體於全球領先的地位，同時韓國欲調整產業結構由過去集中記憶體，轉而強攻晶圓代工領域，再者日本半導體如Toshiba半導體標售完成，將牽動後續市場版圖的挪移。
綜合上述，顯然台灣目前在人才供給(育才、吸才、聚才、留才、用才)、產品創新、產業政策、市場行銷、規格吸納等各基礎條件均有鈍化力殆之趨勢，甚至全球各科技強國均摩拳擦掌以超越我國半導體產業為目標，台灣無法不居高思危、戒慎恐懼，畢竟半導體業是國內電子產業最後的碉堡。因而在當前我國半導體產業競爭優勢面臨轉折之際，亟需思考如何進行突圍，產業再次升級已是刻不容緩的課題，企業宜更專精技術、擴大應用、建立生態視為是下階段的策略重點，藉此跳出直接與中國追求規模經濟、標準化等3C產品的競爭關係；政府則可強化「晶片設計與半導體產業」中有關於前瞻科技、國際合作、在地鏈結等三大思維的推動方案。以下將針對我國半導體業的景氣與發展走勢作一探討。
壹、國內市場概況
1. 2018年我國半導體業產值年增率將可維持2012年以來第七年正數的態勢，年增率預計由0.53%提升至3.56%。
根據(表一)的估計數據可知，隨著多極應用將持續驅動對於我國半導體業的需求，特別是高速運算晶片對於性能與功耗要求很高，是晶片高階製程的驅動力，加上人工智慧的普及，應用也將越來越廣泛；同時台積電2018年上半年7奈米製程將開始進入量產階段，全年7奈米製程亦有機會達到合併營收一成的比重，先進製程的產能擴張將為2018年台灣半導體業再添動能；再者記憶體廠商除DRAM、NOR Flash市況較預期為佳之外，2018年也擁有擴產的利基，如南亞科、華邦電、旺宏等；更何況基於積體電路設計龍頭廠商營運好轉，且國內積體電路設計廠商積極揮軍智慧語音裝置晶片、生物晶片IC衝量、Type C帶動高速傳輸晶片成長、ASIC設計服務具利基性、健康量測晶片掀起新浪潮、無線充電晶片市場成長性爆發等緣故；故總計2018年我國半導體業產值年增率將可維持2012年以來第七年正數的態勢，年增率預計由0.53%提升至3.56%；不過整體半導體產業成長力道卻未如原先年初預期，主要是在於全球智慧型手機出貨量表現未盡理想，加上加密貨幣挖礦商機不確定高，以及美中貿易摩擦使得半導體供應鏈處於不穩定的狀態所致。
而在各細產業的產值表現部分，2018年尤以記憶體與其他製造業成長居冠，達到25.23%，而積體電路設計業、晶圓代工業產值則分別為4.60%、1.73%，其中前者產值順利由2017年的衰退轉為成長，主要係因國內中小型積體電路設計業者布局陸續獲得成效，以及我國最大的積體電路設計業者—聯發科營運將出現轉機的緣故，而晶圓代工業產值出現成長趨緩，則是因上半年來自於智慧型手機的訂單需求並未如預期，加上虛擬貨幣挖礦需求於第二季出現減緩所致；至於半導體封裝業、半導體測試業產值於2018年將雙雙轉為微幅衰退的局面，分別為-0.60%、-0.35%，則係因來自於智慧型手機應用端的接單力道明顯下滑，及二線廠商面臨中國半導體封測業者競爭，使我國半導體封測業者面臨壓力。
表一 我國半導體產業之各細項產值一覽
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資料來源：工研院IEK-ITIS計畫、台灣經濟研究院產經資料整理，2018年6月。
2. 在Apple與非Apple新機搶市、Nvidia新一代繪圖晶片將登場、高速運算需求持續釋出之下，2018年第三季國內半導體業銷售值季增率可望呈現正數態勢。
根據(表二)的數據可知，預計2018年第三季國內半導體業銷售值季增率將可望由第二季的1.8%彈升至8.8%，主要是受惠於庫存調整結束，加上非Apple新機醞釀搶回市占率，況且第三季除有Apple新機面市，自7月起拉貨力道轉強之外，同時還有Nvidia新一代繪圖晶片將登場，同時亦有來自於虛擬挖礦商機的加持，況且隨資料中心發展深度學習，帶動繪圖晶片、中央處理器、現場可編程閘陣列、特殊應用晶片的需求，同時人工智慧晶片將滲透智慧型手機、先進駕駛輔助系統、區塊鏈等領域，甚至高速運算晶片除了帶動高階製程成長外，也帶動基板上晶圓晶片封裝等高階封裝市場快速成長，甚至包括Apple、AMD、Xilinx、海思等主要客戶亦會開始啟動7奈米投片，以及台積電南京廠5月已進入量產階段，也將在第三季顯著挹注公司營運所致。
若以細項產業而言，估計2018年第三季將以半導體測試業、積體電路設計業產值季增率16.1%、14.0%的表現最為突出，再者依序為半導體封裝業的7.4%、晶圓代工業的6.0%、記憶體及其他製造的6.0%；其中晶圓代工業產值轉為正數態勢，主要是受惠於美系智慧型手機啟動新機拉貨的循環，加上客戶對於7奈米下單程度加大所致，而記憶體及其他製造產值維持於6%的增長，則是受惠於人工智慧、物聯網、智慧汽車、高速運算等應用擴張，DRAM成為不可或缺的零組件，更何況供給端的部分釋出有限，使得DRAM價格仍維持漲勢所致，值得留意的是積體電路設計業的部分，儘管來自高速運算、物聯網、汽車電子等快速成長，帶動相關的晶片設計需求，同時SSD/網通產品/設計服務等需求持續上升，此均有利於2018年第三季積體電路設計業產值的表現，不過仍須注意聯發科所面臨來自於Qualcomm、Samsung的強烈競爭，特別是Qualcomm的部分，將於2018年下半年導入Samsung的10奈米製程來以推出Snapdragon 670產品，且將採取積極的價格策略，恐將成功奪得OPPO R15S的相關訂單，加上Samsung正啟動自家Exynos晶片解決方案外銷計畫，並鎖定聯發科現有的中階智慧型手機客戶群積極爭取訂單，希望藉由外銷策略來擴大Exynos晶片平台的市場規模，顯然2018年第三季聯發科所面臨的經營環境需審慎以對。
表二 2018年各季國內半導體產業及各細項產業產值與季增率、年增率之概況
單位:新臺幣億元、%
資料來源:TSIA、工研院IEK，2018年5月。
貳、國際市場概況
1. 2018年首季全球前十五大半導體業者排行當中，尤以記憶體族群表現最為突出，至於Samsung仍延續2017年持續超越Intel的態勢。
根據(表三)的統計資料可知，2018年首季全球前十五大半導體業者排行當中，尤以記憶體族群表現最為突出，除Samsung繼2017年持續超越Intel，而在2018年第一季再度穩居全球第一大半導體之外，其他包括SK Hynix、Micron、Toshiba等營收增幅均相當顯著。顯然2018年首季記憶體市況優於預期，特別是DRAM的部份，因而使得記憶體相關業者整體經營績效超越其他廠商。而全球排名第二的Intel，從2018年首季營收表現來看，包括伺服器、PC、物聯網、記憶體等事業營收均較2017年同期成長，顯然公司轉型略顯成效，不過由於2018年首季Intel營收成長幅度11%仍不及Samsung的43%，因此Intel無法奪回第一大的地位。
至於台積電仍穩居全球第三大半導體業者，主流先進製程布局相當積極，競爭力依舊持續領先其他晶圓代工競爭者，由於競爭對手在製程技術缺乏漸進式穩步的基礎，且缺少相當的研發與資本投入，以及穩固的客源基礎下，未來製程採取跳躍的難度仍相當高。而排名十的Nvidia，營收則以58%的超高表現領先其他半導體廠，主要是受惠於電競產品以及挖礦熱度加溫，更何況Nvidia的GPU晶片具有關鍵的角色，更是全球人工智慧晶片的佼佼者。
整體而言，2018年首季全球半導體業的排行依舊看出記憶體市況暢旺對於相關業者的加持，不過新興的人工智慧、自駕車、雲端運算、資料中心、5G、物聯網等市場未來將有機會扮演半導體要角，也增添相關晶片設計公司的營運動能，如Nvidia的部分。
表三 2018年首季全球前十五大半導體業者排行概況
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資料來源:IC Insights，2018年5月。
2. 2018年首季韓廠因終端需求疲弱而使其全球NAND Flash營收市占率呈現下滑，日本的Toshiba則因開始出貨64層3D NAND Flash Wafer而使市占率明顯遞增。
首先在全球NAND Flash廠營收排行方面，根據(表四)的統計資料可知，Samsung仍穩居2018年首季全球NAND Flash廠之首，但市占率卻由2017年第四季的38.0%下滑至2018年第一季的37.0%，主要是受到伺服器與資料中心以及智慧型手機需求紛紛受淡季衝擊，加上Client及Enterprise SSD等產品價格紛紛向下修正的影響，儘管如此，Samsung在全球NAND Flash市場仍具競爭力，主要是Samsung 2018年計劃提升目前64層3D NAND堆疊層數達50%以上，並將於華城、平澤半導體工廠量產96層堆疊3D NAND，更將投入128層堆疊3D NAND研發量產。
而Toshiba依舊位居全球NAND Flash第二名，且2018年第一季因開始出貨64層3D NAND Flash Wafer而使市占率較2017年第四季增加2.2個百分點，值得一提的是，原先Toshiba半導體遲遲未能獲得中國反托拉斯主管當局的核准，加上Toshiba財務狀況因記憶體市況活絡而趨向好轉，特別是Toshiba半導體2017年會計年度(2017/4~2018/3)期間佔母公司總營業利益達到九成以上，增大了Toshiba的自主權，況且部份海外股東也提出要求停止Toshiba半導體的出售案，以保留金雞母留在集團內，因此上述狀況均使得Toshiba半導體標售案未來充滿變數；不過爾後Toshiba半導體標售案(Toshiba半導體標售案在2017年9月確立由美日韓陣營勝出)已於2018年5月中旬獲得中國核准，整體交易案確定於2018年6月1日完成；未來Toshiba半導體在加計韓國的SK Hynix市占率之後(SK Hynix亦取得Toshiba半導體的股份，而加總2018年第一季Toshiba、SK Hynix的市佔率共計約29.1%)，在全球NAND Flash市場將持續拉開與位居第三WDC的差距，市占率將有機會逼近三成，僅次於Samsung的35%以上，而未來在Toshiba半導體標售案底定之後，將全力衝刺採用BiCS4技術的96層3D NAND之量產工作，屆時Samsung、Toshiba半導體誰能率先通過客戶品質測試並正式量產，將是業界關注焦點。
而位居2018年首季全球NAND Flash廠營收第三名者則為WDC，市佔率較2017年第四季下滑1.1個百分點，係因筆記型電腦及伺服器SSD出貨量下降，加上產品價格仍受NAND Flash供過於求以及第一季庫存調整因素影響而下降，導致平均銷售單價下跌近5%所致。而位居第四名的Micron，2018年首季市佔率尚維持於2017年第四季11.5%的水準，不過營收季減率則為3.3%，其係因通路SSD、3D NAND TLC Wafer價格在第一季跌幅較顯著的影響。
至於SK Hynix，2018年第一季仍位居全球第五名，且市占率持續較2017年第四季下滑，但後續隨著72層3D NAND產能及良率提升後，預計其搭載72層3D NAND的Enterprise SSD出貨比重可望於2018年獲得顯著提升，更何況SK Hynix先前已決定在2018年內完成96層3D NAND產品研發，若順利可望於2019年投入量產，而上述動作是否可讓SK Hynix整體營運獲得改善，值得持續觀察。而位居第六名的Intel，2018年首季市佔率已由2017年第四季的5.5%提升至6.6%，主要是受惠於伺服器SSD持續挹注成長動能所致；事實上，Micron與Intel已率先採用QLC技術，生產容量高達1Tb、堆疊數為64層的3D NAND，該產品已用於SSD出貨，此號稱為業界首款高密度QLC NAND Flash，後續是否可有效提振Micron與Intel陣營的市占率，將是市場另一個重要的觀察指標。
表四 2018年第一季全球NAND Flash廠營收排行狀況
單位:佰萬美元、%
資料來源:DRAMeXchange，2018年5月。
3. 2018年首季全球行動式記憶體營收排行依序為韓、美、台，其中台廠中的南亞科因LPDDR3 4Gb出貨增加而使市占率由2017年第四季的1.0%微幅上揚至1.1%。
在全球行動式記憶體營收排行方面，根據(表五)的統計資料可知，2018年首季Samsung依舊穩居全球第一大，不過市占率卻略由2017年第四季的56.6%降至2018年第一季的56.5%，主要係來自於Micron營收季增率高於Samsung所造成的排擠效果，事實上，Samsung 2018年第一季全球行動式記憶體營收季增率仍有5.2%，主要是受惠於透過積極行銷大容量記憶體並且結合自家先進奈米製程技術(幾乎已全採18奈米製程，僅少數LPDDR3 eMCP組合還有微量供應20奈米產品)，成功取得多數的大容量訂單。而SK Hynix則位居全球第二大的地位，市佔率則略由2017年第四季的25.9%下降至2018年首季的25.2%，且營收季增率2.2%，表現較未如原先預期，主要是受到新製程18奈米初期良率不穩、產能不足等因素，而無法擴大旗艦機種用LPDDR4系列大容量DRAM的交付數量的影響。反觀Micron市佔率則由2017年第四季的16.0%遞增至2018年首季的16.7%，且營收季增率高達10.2%，其是受惠於整體需求不減、價格上揚的貢獻。至於台廠中的南亞科因LPDDR3 4Gb出貨增加，而使市占率由2017年第四季的1.0%微幅上揚至1.1%，華邦電則由於產品應用範圍較小，需求起伏不大，因此2018年首季市佔率仍維持於2017年第四季0.5%的水準。
表五 2018年第一季全球行動式記憶體營收排行概況
單位:佰萬美元、%
資料來源:DRAMeXchange，2018年5月。
參、產業競爭情勢
1. 若美中貿易戰朝向常態化、長期化的趨勢發展(甚至出現美國與中國供應鏈楚漢分明的結構)，台灣半導體業該如何自處的議題值得產官學界共同深思。
雖然2018年4月16日美國商務部對中興通訊實施禁制令直到2025年，但2018年5月中旬美國總統川普指示商務部，應儘速讓中興通訊恢復營運，使得整體情勢出現大逆轉；不過特中美貿易戰中的中興通訊事件更加速與確立中國發展半導體的決心，官方也意識到集成電路產業是國民經濟中基礎性、關鍵性和戰略性的產業，集成電路產業的強弱是國家綜合實力強大與否的重要標誌，為了不受制於人，並且能分享未來新興領域的紅利，發展自主集成電路已經成為中國刻不容緩的首要之務。而由於未來中美在科技領域的貿易摩擦仍難免，況且中國已意識到未來半導體晶片自主可控的方向勢必須強力執行，因此後續對於全球科技領域的潛藏隱憂仍存在。
整體來說，近期中興通訊被美國商務部制裁事件亦反映出中國在晶片領域的脆弱地位，推動半導體業發展已經上升至國家重中之重，晶片國產化率亟待提高，或是未來若美中貿易戰朝向常態化、長期化的趨勢發展，甚至出現美國與中國供應鏈楚漢分明的結構，屆時台灣半導體業該如何自處，政府應儘早依擬定整體國家戰略，評估風險所在、建構基本立場；業者則應評估該如何讓自身營運更加彈性化，多元化的客戶布局必然不可少，以急需加速台灣半導體業自身研發與技術能耐，建構足以替代國際等業者主流晶片的產品線與產品開發能力，意謂產品差異化及技術升級將是關鍵，同時台灣業者也不應排除任何與國際合作或購併的可能性，藉此與中國業者產生區隔或互補，甚至快速擬定方案來留住關鍵人才、建構台灣優勢的半導體生態體系、擴大創新應用晶片範圍，藉此捍衛台灣半導體業在全球市場的優勢地位，畢竟維護半導體競爭優勢已是國安層級的議題，值得產官學界共同深思。
2. 2018年中國集成電路業銷售額將延續2010年以來雙位數增長態勢，顯然國家戰略聚焦、龐大市場空間、產業資本支持、技術人才與產業鏈配套逐步到位等有利因素將發酵。
2018年中國集成電路業銷售額預計將延續2010年以來雙位數增長的態勢，顯然經營環境情勢、國家戰略聚焦、龐大市場空間、產業資本支持、技術人才與產業鏈配套逐步到位等有利因素將持續發酵。
以對岸所面臨的整體全球半導體環境來說，摩爾定律的放緩更給予身為技術追趕者的中國半導體充足的學習時間，更何況現階段適逢以人工智慧、物聯網、汽車電子為驅動因素的矽含量提升週期，新的需求給予中國半導體更多發揮的空間；以虛擬貨幣挖礦商機來說，2017年礦池市場的集中度有所上升，前十大礦池出塊量占比從年初的73%升至90%，而前十名中有八個來自中國，合計占整個市場的71%，且挖礦行業在中國的高度集中為境內礦機廠商的成長提供了有利條件，特別是比特大陸(Bitmain)已成為中國僅次於海思的中國第二大集成電路設計公司，同時其半導體封測供應鏈更包括中國本土的長電科技、通富微電、華天科技等。
另外2018年中國依舊是全球半導體最大的終端需求和加工市場，為晶片國產化提供有利的條件；更何況中國對於半導體的政策支持不斷，一期集成電路大基金規模已達1,387億元人民幣，更帶動地方產業基金達到5,145億元人民幣，二期集成電路大基金更有機會創造中央與地方政府共計兆元人民幣的規模，顯然產業發展所面臨的融資瓶頸問題獲得解決，將促進中國半導體行業良性的發展；同時中國對於人才的吸引力也日趨增強，況且中國高素質人才占比正在提升中，特別是理工科研究生佔比不斷提高。
至於2018年中國半導體業各細項行業的發展路徑，將延續2017年由半導體封測主導的全球分工格局逐步向集成電路設計、晶圓製造、材料與設備逐步突破的方向全面發展，顯然隨著與國際企業的技術差距縮減、資金與人才的投入，中國半導體行業產業鏈崛起途徑將由微笑曲線底部向兩端發展。而中國半導體業微笑曲線底部即是半導體封測，主要是透過自主研發先進封裝及先前進行海外企業購併的策略，使得中國半導體封測站穩全球第二大地位；至於微笑曲線兩端則涵蓋集成電路設計、集成電路製造、材料、設備的範疇，其中中國集成電路設計公司已有海思、紫光展銳進入全球前十大的排行，另外北京豪威、中興微電子、華大半導體、智芯微、匯頂科技也均進入全球前五十大，顯然中國整體集成電路設計業實力正向位居第二的台灣步步進逼；而集成電路製造業則是擁有中國晶圓建廠高峰到來的利多，2017~2020年擬新建晶圓廠佔全球的比重高達42%，中芯國際雖進入營運調整期，但其醞釀深蹲後跳的態勢仍不容忽視。
不可否認現階段中國半導體業的發展有其需面對的課題，如中國當前現有產能和計畫多集中於40~90奈米階段，待新增產能先後開出來後，勢必會造成資源過度集中，出現結構性過剩的問題，反觀在先進製程方面仍是相當匱乏，且距離國際大廠技術仍有相當的距離；此外，由於國家資源傾其全力扶植各行業的龍頭廠商，相反地中小企業所能獲得的資源相對甚少，因此恐形成大者恆大、中後段班企業體質仍弱的不健全格局。
肆、未來台廠應留意的問題
1. 國內晶圓代工產值占比近五成、台積電獨大的半導體產業結構反映過於集中的問題，且2018年台灣積體電路設計業在台積電7奈米先進製程缺席，恐將是產業一大警訊。
首先是國內半導體業的結構性問題(請參考表六)，2013年晶圓代工業在行動智慧裝置帶動對於先進製程需求下，產值續呈雙位數的增長，故晶圓代工業佔整體IC產業的比重持續走高至40.19%，2014年更因晶圓代工產值增幅高達20.38%，故其佔整體IC產業的比重創2001年以來的高峰，達到41.48%，2015年再度因晶圓代工產值表現優於其他細產業，特別是當其他細項行業產值已轉為負數態勢時，晶圓代工產值年增率尚有10.43%，故推升其佔比走升至44.58%，創下歷史新高紀錄；而2016年此態勢則更為顯著，晶圓代工依舊是國內半導體產業的領頭羊，所佔比重高達46.90%；2017年由於晶圓代工產值增幅因台積電持續獨家取得Apple A11應用處理器代工訂單而來到5.00%，依舊領先半導體測試業、積體電路設計業、半導體封裝業、記憶體及IDM等業別，因此晶圓代工業佔整體IC產業的比重再次上揚至49.98%，顯示晶圓代工業儼然已是國內半導體業的重心，且比重正不斷呈現上揚態勢；2018年雖預估晶圓代工產值增幅僅剩1.73%，而使其佔半導體業的比重略微下滑至48.12%，但依舊處於相對高檔水準。
表六 我國半導體各細項產業之產值比重一覽表
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資料來源:半導體工業年鑑、台灣經濟研究院產經資料庫整理，2018年6月。
事實上，國內晶圓代工產值比重的提升，正是由台積電所貢獻，根據(圖一)的統計資料可知，台積電合併營收佔整體半導體產業的比重已由2012年的31.01%逐年提升至2017年的39.70%，況且若由合併本期淨利來看，2017年台積電獲利佔整體半導體產業估計更是達到六成以上，遠超過其他國內半導體業者，同時台積電一年獲利佔台灣整體製造業高達22%，況且2018年1月22日台積電在國內股票集中市場的市值已高達6.72兆元，佔大盤的比重超過18%，遙遙領先第二大鴻海的市值，顯然國內晶圓代工產值占比近五成、台積電獨大的半導體產業結構呈現過於集中的問題，當整體半導體產業乃至於國家經濟皆維繫於一家台積電之時，整體發展結構並不健康。
圖一 台積電合併營收佔我國半導體產業之比重一覽表
資料來源:台灣經濟研究院產經資料庫，2018年6月。
此外更令人憂心的是，在2017年聯發科仰攻高階手機晶片市場失利之後，2018年聯發科決定將固守全球中低階智慧型手機晶片市場，陸續將研發資源轉進Helio P系列產品，暫時凍結新一代Helio X晶片解決方案技術演進計畫，此舉代表2018年台系積體電路設計業者在台積電7/10奈米先進製程缺席，恐將是我國積體電路設計產業的一大警訊，意謂2018年台積電先進製程的客戶將以Apple、海思及Qualcomm新一代行動裝置晶片，以及Nvidia、AMD、Avago的AI晶片解決方案，加上STM的自動駕駛晶片平台，與中國、日韓等新興AI應用開發商等為主，顯然7奈米製程客戶全是國際廠商而無台系業者。
2. 系統廠強化在晶片的主導性與自主性，故自行研發差異化晶片，特別是Samsung、華為、小米等2018年加深自製手機晶片的比例，對於聯發科形成另一股競爭壓力。
由於物聯網應用帶動垂直整合趨勢的興起，因此未來系統廠商將強化在晶片的主導性與自主性，如Apple、Samsung、LG、小米、華為均有開發自主應用處理器的動作，特別是Apple自行開發應用處理器的模式相對成功，因而也使得其他手機廠商的效法；事實上，面對2018年Apple、Samsung、華為、小米等自製手機晶片供應商，持續採用最先進7奈米製程技術，甚至進一步擴大晶片投資策略，以求能新增AI應用、NPU晶片等多元化解決方案，2019年更已敲定將導入5奈米製程，來強化自家手機晶片平台的市場競爭力，此股系統廠商強化自製手機晶片的勢力將對Qualcomm、聯發科、展訊帶來另一股外部的競爭壓力，顯然國內外手機晶片業者除需面臨來自於智慧型手機晶片解決方案薄利化的窘境之外，更憂心市佔率恐進一步被系統廠商的自製手機晶片壓縮。
其中對於聯發科來說，2018年格外需留意Samsung的舉動，主要是Samsung正啟動自家Exynos晶片解決方案外銷計畫，並鎖定聯發科現有的中階智慧型手機客戶群積極爭取訂單，希望藉由外銷策略來擴大Exynos晶片平台的市場規模所致；而對於Samsung而言，其擴大Exynos自家晶片的市佔率，未來不但可挑戰聯發科在全球智慧型手機晶片第三大的地位，更可順勢拉升Samsung自家晶圓代工廠的產能利用率表現，同時也是迎接2019年5G晶片、2020年5G元年的重要行銷策略。
另一方面，由於智慧裝置核心技術的重要性將與日俱增，大型系統公司逐步採取自行設計晶片仍是一個趨勢，對於半導體供應鏈影響力也將擴大，顯然將壓縮積體電路設計業的發揮空間，因此未來積體電路設計業者必須進行轉型升級，強化系統設計研發能量，掌握差異化設計關鍵，如此才能因應產業變革所代來的影響。
3. 近來國內半導體界不斷傳出高階管理與技術人才出走的震撼彈，反映中國半導體勢力加速崛起中已對我國人才產生磁吸效應。
台灣半導體業在人才供給(育才、吸才、聚才、留才、用才)、產品創新、產業政策、市場行銷、規格吸納等各基礎條件均有鈍化力殆之趨勢，且來自於中國半導體業崛起的威脅又與日遽增，特別是挖角的狀態，如近年來中國已挖角南亞科近48名高階技術人員，美光子公司的DRAM廠華亞科更是慘遭挖角約400人，不免使得國內關鍵技術與人才恐面臨流失的風險，而由於半導體業是支持台灣ICT產業健全發展的重要基石，因此政府與企業更應不容忽視半導體業迫切的危機。
事實上，由於半導體行業追趕者的崛起往往需要具備天時、地利、人和等條件，而近年來以來中國半導體正好適逢此時機，意即新需求、新技術、新模式、技術進步放緩，且資金、人才等要素優勢逐步顯現，更有產業群聚的效應，同時政策、資金、技術人才、產業鏈配套已逐步到位，更何況中國是全球最大的電子產品製造基地，擁有龐大的晶片需求市場，因此近年來中國半導體業市場規模成長速度遠高於全球市場。
再者，全球半導體產業向中國轉移的態勢顯著，SEMI預測2017~2020年間全球投產的62座半導體晶圓廠，將有26座位於中國，佔整體比重高達42%，明顯領先於北美、台灣，顯然中國生產全球大部分的電子產品，對於半導體產品需求量大，更何況在中國半導體自給率須於2020年達到40%、2025年提高至70%的政策推動下，也促使全球晶圓製造商紛紛移往中國進行設廠。
而在中國建立自有半導體供應鏈的目標下，紫光集團將扮演舉足輕重的角色，紫光集團是中國國有的清華控股有限公司以及民營企業健坤集團分別持股51%及49%的企業，是以積體電路產業為營運主軸，向泛IT、互聯網、雲端計算等信息產業核心領域集中發展的戰略；而當前紫光集團在記憶體事業的布局將以長江存儲、武漢新芯為主，來切入DRAM、NAND Flash市場，另外紫光集團也企圖進入晶圓代工市場，除近期不斷拉高對於中國第一大晶圓代工廠--中芯國際的持股外，也希望能在成都打造12吋晶圓廠。
而由於紫光集團近來在全球的購併頻頻受阻，加上美國已不斷表明後續對於中國所提出對於美國半導體業者的收購案或入股等其他合作模式，恐將採取嚴審的態度，避免美國半導體尖端的半導體技術有外流的風險，因此紫光集團技術朝向自主開發的模式則更為明確，此時更需要外部人才的奧援，台灣半導體高階管理與技術人才則成為最佳的挖角人選。
此外更值得留意的是，有鑑於2017年中芯國際第四季28奈米佔比估計約10%，但其多偏向中低階的28 奈米Ploy/SiON技術，高階28奈米HKMG 製程良率一直不如預期，以及中國半導體海外收購優質資產與技術途徑受到阻礙，加上台積電、聯電12吋廠產能陸續開出，台積電2018年5月更率先於南京廠導入16奈米製程，故中芯國際除先前與華為與比利時微電子研究中心(IMEC)及Qualcomm公司簽約，共同投資中芯國際積體電路新技術研發(上海)有限公司，開發下一代CMOS 邏輯技術外，近期也藉由挖角關鍵人才的方式，來快速提升其製程的推進，即挖角前Samsung研發副總、前台積電資深研發處長--梁孟松全面接手中芯國際的研發TD部門，短期內將所有的研發資源投注在14奈米FinFET製程技術的開發，並補足相關製程所需的研發人才，其中就是要大力挖角台灣的半導體人才，台積電、聯電的人才庫將首當其衝。
另一方面，隨著虛擬貨幣挖礦風潮並未消退，壟斷全球八成挖礦機晶片市場業者比特大陸成為世界最大的比特幣ASIC設計公司，使其在中國積體電路設計業的排名竄升至第二名，同時也為未來進一步轉型至AI領域預做準備，因此比特大陸也來台搶奪相關積體電路設計人才，畢竟台灣積體電路設計業擁有全球第二大、兩岸語文相通等優勢，加上台灣薪資水準低於全球，致使台灣成為中國彼特大陸甚至是其他挖礦機供應商挖角的人才庫。
整體來說，在我國半導體基礎研發人才與高階經理人不斷出走對岸下，將使台灣半導體的優秀人才面臨掏空、斷層的危機，更使得人才供給、技術創新的基礎條件面臨發展瓶頸，中長期恐縮短台灣領先中國半導體競爭優勢的差距，此問題亟需我國政府與半導體界正視，也應擬定短中長期的整體因應策略，避免競爭力出現流失。