中國半導體發展模式之探討(工商時報)
劉佩真
2017/09/13
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中國半導體業發展進程在歷經萌芽期、自力更生的初創時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發引進時期、全面佈局的重點建設時期、高速發展期等階段之後，2014年迄今持續處於黃金發展期，當中2014年6月國務院發佈的《國家集成電路產業發展推進綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導體業發展最大的轉捩點，爾後不論是中國製造2025、中國十三五規劃等新世紀發展戰略的帶動，或是2017年1月工業和資訊化部、國家發改委正式宣佈《資訊產業發展指南》，確定集成電路等九大資訊產業將是發展重點，均顯示中國官方對於半導體業的支持力道並未減弱，且仍持續進行中。
至於在半導體發展模式的選擇上，如果參考全球主要供應國的經驗，過去美國、日本、韓國、台灣皆有所不同，以美國來說，其可稱為創新引領的模式，也就是美國從軍工時代、PC時代、智慧型手機時代，均以創新的研發技術取得先發者的優勢，迄今仍坐穩全球第一大半導體供應國的角色；日本則是消化吸收、自主創新的模式，可謂是1970～1990年家電產業繁榮時最強的半導體後發崛起者；韓國為集中式發展、品牌化超越的模式，主要由大財團或大企業來主導，特別是打造記憶體王國，2017年第二季韓國在全球行動式記億體、DRAM、NAND Flash的市佔率分別高達83.2％、73.5％、45.5％；台灣則是走獨步全球的專業分工模式，在2017年全球半導體產值排行中，僅次於美國位居第二，超越韓國、日本、歐洲、中國、新加坡，這個國際領先地位與重大成就是台灣的驕傲。
事實上，中國半導體的發展模式正透過「設計+晶圓代工+封測」和「記憶體」兩條線並進的方式進行國產化趨勢，前者是學習台灣模式從晶圓代工切入，「晶圓代工+封測」形成虛擬IDM，並進一步孵化整合集成設計公司，後者是學習韓國模式從記憶體切入，採用IDM模式，希望未來抓住3D NAND Flash技術升級的機遇。
首先，中國半導體遵循的「設計—製造—封裝」產業鏈孵化方式，近年來已有所成效，且隨著結構調整效果的浮現，中國集成電路產業結構正不斷優化中，意即產業持續往上游高附加價值的部分來發展，中國集成電路設計佔整體集成電路比重從2006年18％上升至2017年上半年的38％；反觀半導體封裝及測試在中國集成電路產業占比從2006年的51％下降至2017年上半年的36％；至於集成電路製造業2017年上半年佔整體集成電路產業比重則為26％的水準；顯然中國集成電路設計業、半導體封裝及測試業比重一長一消的比重變化趨勢仍持續，代表中國集成電路產業結構正在向技術含量較高的方向發展。
至於中國半導體第二條發展路徑--學習韓國模式從記憶體切入，雖然2015～2016年佈局情況似完整，也就是中國發展記憶體製造業有三大主力，包括以紫光與武漢新芯為首的陣營，將主力發展DRAM、NOR Flash、3D NAND Flash等產品，亦有以利基型DRAM為發展重心的福建晉華，更有專攻DRAM的合肥市政府；但受制於國際大廠佈下綿密的專利網，且力阻中國進行海外記憶體廠的購併，在無技術授權來源、人才短缺之下，中國記憶體事業要從0走到1仍顯困難，紫光國芯宣布暫停整併長江存儲似乎透露端倪，意謂2018年中國即將進入記憶體量產的時程恐有疑慮，未來對岸如何完成最後半導體的一塊拼圖，各界都相當關注。
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