評論觀點

從Micron中國銷售遭禁 看山雨欲來的記憶體混戰(Yahoo論壇)
劉佩真

2018/07/11

      聯電與Micron的專利訴訟戰,起源於聯電2016年接受中國福建晉華委託開發DRAM記憶體的相關技術,晉華提供設備與資金,聯電提供技術並取得報酬金,不過爾後聯電與Micron則展開雙方互告的局面。

      後續2018年7月初,聯電宣布中國福州中級人民法院對Micron提出禁止令,要求Micron停止銷售包括固態硬碟、內存在內的26款DRAM和NAND相關產品,此事件除將對全球記憶體價格上漲及相關的競爭者創造有利環境、但對其合作封測廠相對不利之外,該事件亦被市場視為中興事件及中美關稅對壘的延續,未來可成為中國對美方的談判籌碼,更是為2018~2019年中國即將量產的記憶體爭取發展的空間,畢竟對岸記憶體製造目前在專利技術授權方面仍有疑慮。

      不過仍須留意美國是否從而擴大對中國及我灣半導體產業的反制,畢竟2017年底Micron在美國加州也對聯電提起民事訴訟,控告聯電侵害Micron營業秘密,故此部分的判決也備受市場高度關注。

      而由於Micron的DRAM總產能中,約有26%由中國內需市場進行消化,如考慮到通過代理或其他管道進入中國相關企業的銷售,占比恐超過40%,甚至若以銷售額來看,在中國Micron有近150億美元,僅次於Intel在中國的銷售額,因此Micron中國銷售遭禁,對Micron形成負面影響,而未來是否牽動Samsung、SK Hynix、Micron、WD、Toshiba、Intel之間的市占率,將端視後續的判決而定,畢竟Micron仍有上訴的權利,且中美貿易戰依舊處於且戰且談的局面;但不可否認的是,從Micron中國銷售遭到禁制的情況來看,亦不難看出即將跨入記憶體製造市場的中國,恐將在全球市場掀起漣漪。

      事實上,身為一年產值超高1,200億美金的記憶體產業,在目前各項裝置在資料對計算性能和存儲容量的需求持續拉動,甚至未來新興科技領域的記憶體搭載量倍增之環境下,記憶體仍將是全球半導體產值提升的核心關鍵,更是韓國、美國、中國、台灣的兵家必爭之地,故中國近期在記憶體市場動作頻頻。

      除近期Micron中國銷售遭禁事件之外,2018年5月中國突襲調查Samsung、SK Hynix、Micron等國際DRAM大廠,調查內容主要涉及近年DRAM價格飆漲和業界反映的產品搭售問題,名目雖是以反壟斷的名義來進行約談,但市場多認為中國實質恐是希望在中國記憶體廠即將量產的關鍵時刻,期望國際三大記憶體廠能夠在專利的部分給予中國廠商一些空間,藉此換取談判的籌碼。

      整體來說,雖然長江存儲先前已釋出訊息,說明可望將於2018年10月開始小量生產堆疊32層3DNAND,而合肥睿力與兆易創新、福建晉華試產時程將會落於2018年第三季,量產則暫定在2019年的上半年,時程皆較原市場預期落後,顯然中國記憶體是否能於2018年底~2019年初正式進入量產並銷售的階段,仍有待後續觀察,畢竟目前DRAM及NAND Flash的專利都掌握在國際大廠手中,況且累積數量可觀、範圍廣泛的專利資產,中國業者很難在不侵犯這些專利的條件下,順利開發DRAM與NAND Flash產品,意即在沒有獲得授權技轉情況下很容易發生侵權,況且記憶體製程推進速度快,在沒有經驗的情況下,要建立生產線並進入量產投片階段的難度大增,此外,中國記憶體業者雖然嘗試透過延攬任職於其他公司的工程師,帶來相關知識以提升技術,但此做法存有引發訴訟等各種問題的可能性。

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