上個月市場傳出大陸發改委因不滿記憶體價格持續上揚而約談SAMSUNG的消息。此舉有兩個觀察點，一是2016年下半年以來連續6季價格上漲的記憶體價格，特別是DRAM的部分，確實對大陸下游應用領域如智慧型手機業者的獲利產生壓縮，更不時出現缺貨或是需祭出降低搭載記憶體容量的動作。
二是大陸發展記憶體產業更深一層的策略手法，在官方約談韓系廠商過後，未來是否進一步祭出反壟斷調查，藉此與韓系廠商進行交涉空間，意即避免今年底前即將釋出產能的大陸記憶體廠遭到國際記憶體廠的專利權侵權控訴，值得持續觀察。畢竟包括韓系、美系記憶體廠商對於大陸記憶體廠正在虎視眈眈，企圖藉由綿密的專利網來阻撓其進行量產，大陸也正在謀求突破口。
全球記憶體市場去年以來呈現價量齊揚的走勢，不論是DRAM或是NAND FLASH、NOR FLASH，皆因供給端的釋出未如預期而使整體結構呈現供不應求，自然推升價格的上漲，DRAM價格去年上升37.6%，NANDFLASH亦有12.4%，而且去年全球半導體市場銷售額首度衝破4000億美元大關，年成長率近兩成，更讓記憶體成為去年全球半導體產品項目的最大宗，占比達30.7%。
全球記憶體仍由韓系廠商掌控，以去年第3季南韓在行動式記憶體、DRAM、NAND FLASH占比分別高達85.6%、75.1%、47.1%，去年南韓已順利超越台灣躍居為全球第2大半導體供應國，僅次於美國。
紫光集團董事長趙偉國去年在第4屆世界互聯網大會上表示，紫光已經研發出32層64G的完全自主知識產權的3D NAND FLASH，今年將會實現量產。另外福建晉華則是攜手聯電搶攻利基型DRAM市場，今年9月月產能可望達到6萬片12吋晶圓的生產規模。還有合肥睿力與兆易創新陣營，將投入180億元人民幣研發19奈米DRAM技術。
大陸業者從SAMSUNG、SK HYNIX、華亞科、南亞科不斷挖角記憶體相關工程與技術人才，但受限於記憶體專利仍掌握在韓系與美系大廠手中，且紫光集團與武漢新芯、福建晉華、合肥睿力與兆易創新尚未取得上述主要國際大廠的技術授權合作，僅有武漢新芯在2015年初與SPANSION合作，展開3D NAND FLASH技術開發，況且先前兆易創新收購美系利基型記憶體設計公司ISSI破局，因而未來大陸記憶體新進業者，量產技術挑戰仍大。
更何況MICRON先前已大動作在美國提出民事訴訟，控告福建晉華侵犯其營業機密，預料SAMSUNG、SK HYNIX未來更將高度檢視大陸記憶體晶片是否侵犯其專利，畢竟國際記憶體廠商並不希望目前掌握全球大宗市場的局面遭到中國侵蝕，南韓政府亦將記憶體技術視為重要關鍵技術與資產。這次大陸發改委約談SAMSUNG，有可能是破解國際廠商企圖圍堵中國3大記憶體陣營的策略。