記憶體結構性通膨如何重塑2026年消費電子格局？(科技島)
劉佩真
2026/02/09
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轉載自〈科技島〉
當前全球記憶體市場正經歷一場由AI 基礎設施驅動的結構性變革，從 2025年下半年~2026年，記憶體產業不再只是週期性的價格起伏，而是演變成資源優先級的重新分配。事實上，目前這一波記憶體上漲，本質上是AI專用產能對通用產能的掠奪，也就是AI伺服器對HBM的需求是爆發成長格局，特別是三星Samsung、SK Hynix、Micron將產能優先撥給毛利更高的HBM與企業級 SSD時，留給DDR5或LPDDR的空間自然被壓縮；此種排擠效應對消費性電子而言是致命的，隨著AI資料中心持續擴張，大容量QLC與TLC NAND被企業級SSD橫掃，導致消費級SSD與智慧型手機使用的UFS儲存晶片報價跟漲，預計這種產能結構性失衡將使通用型記憶體在2026年仍將處於供不應求的狀態。
其中DDR4的需求趨勢出現結構性缺貨與價格倒掛，即儘管 DDR4 已非最新技術，但其在2025年下半年迄今展現強大的生命力，由於三大記憶體原廠為了追趕 AI 所需的HBM產能，積極縮減DDR4生產線並宣布進入產品終止週期，導致供給端急劇收縮。然而工業電腦車用電子及中低階消費市場對平台的轉換較為緩慢，剛性需求依然存在，這導致市場出現價格倒掛現象，部分 DDR4 顆粒的現貨價格甚至一度超越 DDR5，故預計2026年DDR4將維持高水位價格，成為長尾市場中的稀缺資源。
而DDR5的需求趨勢方面，則是AI伺服器與高效能運算的全面接管，也就是相較於DDR4的被動減產，DDR5的供需緊俏來自於主動需求的暴增，主要是隨著伺服器平台全面轉向支援 DDR5，加上AI PC規範對記憶體容量要求的提升，市場對DDR5的吸納量正成倍成長，特別是在企業級市場，為了匹配AI 運算的高數據吞吐量，使得DDR5的滲透率將在2026年達到巔峰。
綜合上述，目前的記憶體市場將呈現量縮價揚的高壓態勢，AI不僅佔據最先進的製程資源，也因為資源挪移而讓舊世代產品意外成為稀缺物，對於採購端與系統整合商而言，記憶體已不再是低成本的零組件，而是需要提前規劃、確保供應穩定的策略性資產。
顯然現階段記憶體市場正經歷一場前所未有的結構性風暴，這場漲價潮的核心邏輯已經脫離傳統的景氣循環，轉變為一場由 AI 基礎設施瘋狂擴張所引發的資源掠奪，對於消費性電子產品而言，排擠效應已從隱憂變為現實，原本預期在2026 年普及的AI PC與高階智慧型手機，正遭遇嚴峻的成本挑戰。
事實上，上游原廠目前偏好長期合約與高效能產品，這使得筆電與手機品牌廠的成本結構惡化，記憶體佔整機成本的比例已從過去的10%左右翻倍攀升至 20% 甚至更高，對於利潤微薄的低階機種來說，這幾乎是重大的打擊，許多品牌廠已被迫調漲終端售價，或者在不降價的前提下縮減硬體規格，恐將直接抑制消費者的換機意願，對此2026年智慧型手機、筆電及遊戲主機的出貨預測正普遍遭到市調機構下修。主要的挑戰並非技術停滯，而是電子通膨導致的購買力下降。
面對這波結構性成本上升，品牌廠的生存之道在於價值重塑而非單純的價格轉嫁，建議品牌廠應積極將重心轉向具備高溢價能力的AI專屬機種，利用 AI 功能帶來的差異化體驗來稀釋成本增加的衝擊。策略上，可透過與原廠簽訂更具保障的戰略供應協議，或利用動態規格配置，即在入門機種保持基本運作，而在旗艦機種極大化記憶體效能，藉此拉開產品線的價值區間。顯然唯有將記憶體視為提升AI算力價值的關鍵投資，而非單純的零組件成本，品牌廠才能在這場算力有價的時代中，將壓力轉化為定義高階產品的新競爭優勢。
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