2020年國內外記憶體市場規模表現將擺脫2019年衰退的局面轉為成長態勢，其中上半年表現較為突出，主要係因新冠病毒肺炎疫情意外刺激宅經濟、遠端教學與上班，因而帶動對於NB、資料中心、伺服器等的需求，進而拉抬對於DRAM、NOR Flash、NAND Flash的出貨量
在上述狀況下，受惠於遠端辦公與虛擬學習活動需求提升，帶動商用與教育用筆記型電腦需求走揚，記憶體業者為因應疫情所帶來需求端的轉移，已有將布局的重心由智慧型手機市場移至資料中心市場的現象。至於我國業者也持續深耕技術的研發，如南亞科10奈米級DDR4、LPDDR4及DDR5產品依進度開發，預計於2020年下半年導入試產，也由於技術投入需資金投入，加上公司仍需支付遞延的20奈米產品專利授權費用，因此2020年南亞科為衝刺10奈米製程技術自主研發與試產線而調高資本支出至157.6億元，較2019年大增1.9倍，其中南亞科10奈米製程中的1A世代已預定2020年下半年試產，1B製程技術也開始研發階段，預計2022年前導入試產，後續會開發第三代1C製程技術，顯然我國記憶體大廠也開始積極朝向技術可控的方向邁進。
但值得留意的是，由於2020年第三季需特別留意整體終端需求的回升力道，否則先前客戶於第二季提前拉貨的狀況，反而使得第三季庫存去化不易，而大幅削弱用戶端採購力道，使得DRAM價格漲幅受到抑制，畢竟2020年上半年一部分的需求是屬於客戶因憂心疫情恐造成後續供應鏈出現斷鏈而提前備貨的下單，因此若下半年終端應用市場復甦力道未如預期，則恐影響爾後客戶持續拉貨的力道，顯然上半年急單效應過後，2020年下半年PC、資料中心/伺服器、遊戲機等銷售狀況是否持續拉出長紅則成為關鍵，也為記憶體價格能否續漲的觀察重點，反映終端業者對於市場不確定性、手機銷售下滑，以及資料中心拉貨續航力仍抱持疑慮。
此外，中國NAND Flash產能的進展亦是市場關注的焦點，特別是長江存儲已於2020年4月中旬宣布將推出兩款128層3D NAND Flash產品，分別為容量為1.33Tb的128層QLC 3D NAND Flash、容量為512Gb的128層TLC 3D NAND Flash，此意謂中國在記憶體的推進上有所斬獲，量產時程將落於2020年底前。
而由於Samsung是在2019年11月達成了第六代128層512Gb TLC 3D NAND的量產，而 SK Hynix方面是在2020年第一季宣布推出基於首款128層 1Tb TLC 4D NAND的企業級SSD，至於Kioxia與WD合作於2020年1月份宣佈攜手研發出計劃推出112層1Tb(128GB)TLC以及1 .33Tb QLC產品，因此長江存儲的技術相較於國際大廠正在逐步縮小；同時也意謂2021年全球NAND Flash將有中國新增產能加入，特別是長江存儲當前目標將著重於與OEM進行64層TLC的相關產品導入及提升良率，並在2021年加大128層產品的量產規模，包含TLC以及QLC產品，以擴大客戶基礎，顯然在中國二期積體電路大基金積極扶植下，將使得2021年全球NAND Flash競爭更為激烈，價格方面恐面臨不小的壓力。