台經觀點

科技戰火 延燒記憶體(中國時報)
劉佩真

2020/10/14

繼先前美國對於中國第一大積體電路設計業者─華為旗下的海思、第一大晶圓代工業者─中芯國際陸續出重手之後,美國總統大選前美中關係仍是屬於緊俏的情況,預計科技戰煙硝味有可能擴散至中國記憶體,而此舉勢必又將牽動中國大陸半導體國產化發展的進程,尤其此時正是中國記憶體從無到有的關鍵時刻。

畢竟中國大陸在無技術授權來源、記憶體人才短缺之下,短期內要進入記憶體國產化的大幅量產,並產生出口的動作,恐有疑慮,畢竟美對福建晉華實施禁令事件,顯示美國企業針對防止非市場行為對產業形成破壞較為介意,特別是在美中兩強相爭持續進行的同時,作為高度全球化的半導體產業,中國大陸在發展自有記憶體產業,也挑動美國的敏感神經,未來市場勢必關注美國是否對長江存儲、合肥長鑫的出手。不過由於中國大陸現階段實質在記憶體的產出極微有限,因此美國即便對於長江存儲、合肥長鑫祭出管制措施,對於韓、美、日、台的轉單效應較為有限,反而限縮中國記憶體跨越式的發展意義較大。

至於回歸至全球記憶體市況的變化方面,雖然2020年上半年因新冠病毒肺炎疫情所衍生的科技商機,相對使得NB、伺服器、資料中心等對於DRAM需求有所提升,加上電競產品、遊戲機需求也因宅經濟發威而顯強勁,此則使得DRAM出貨量呈現上揚,相對帶動一波DRAM的漲勢;但下半年則因華為拉貨效應於9月中旬過後結束,加上伺服器、資料中心等應用市場的訂單已多於上半年進行備貨,故導致DRAM價格顯得較為疲弱,故估計2020年DRAM價格全年跌幅恐仍有1成以上,但整體而言,相較於2019年全年跌幅達4成以上,整體價格走勢下跌幅度已顯收斂,而DRAM景氣整體的恢復則相對寄望於2021年。

由於2020年下半年國內外DRAM供應商資本資出趨向保守,特別是韓國三星削減2020年DRAM資本支出,便是有助於後續產業供需平衡,因此2021年上半全球DRAM供給位元成長幅度將相對有限;另一方面,2021年上半年全球DRAM需求面則相當具有成長潛力,主要係因佔DRAM需求高達4成的智慧機手機市場,2021年起將擺脫低迷,出貨量可望恢復成長的態勢年增,同時第二大市場的伺服器市場,受惠遠距溝通及資料傳輸增加趨勢,全球出貨量亦可期待,況且商用筆電、Chromebooks受惠於遠端工作及教學出貨成長,此些產品需求能見度可達2021年第一季,另外消費者購買力隨著疫情因素的淡化則有所提升,包括電視、遊戲機、網通、車用電子等應用需求逐步回溫,加上華為影響將屬於短期事件,經過1~2個季度的調整將可望恢復正常,華為版圖移轉的效應將發生,也就是中國其他客戶積極爭取華為手機原有的市占率,將可望彌補華為缺口。

綜合上述,顯然不少被遞延的3C需求重新啟動,加上晶片大廠推出新平台、及居家辦公需求續強,2021年上半年記憶體景氣可望正式落底並出現反彈,預計全球DRAM價格將有機會逐季往上。

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