半導體業復甦 將由記憶體領銜(工商時報)
劉佩真
2024/01/22
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轉載自<工商時報 名家評論>
文／劉佩真 台經院產經資料庫總監、APIAA理事
2024年預計國內外半導體業景氣將可擺脫2023年衰退的態勢，而在年初之際，部分產品尚處於庫存調整的尾聲，預計此些類別的景氣要到2024年下半年才可望明顯反彈，但目前可確定記憶體包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash將成為2024年首波復甦的半導體產品，特別是2023年第四季DRAM價格相對持穩，2024年漲價的焦點也將從NAND Flash擴散DRAM，例如DDR4、DDR5等；也就是當前記憶體市場已逐部擺脫週期底部的階段，且隨著供需關係獲得改善，產品報價也開始築底向上。
特別是記憶體占全球半導體業達20％，可視為半導體業風向標，在其景氣回溫釋放一定復甦信號，加上AI商機及其他科技商機催化消費電子新需求，顯見2024年記憶體市況的基本面將逐步改善；甚至中期來看，生成式AI市場迅速擴張，更可望帶動對於內含記憶體含量與價值的成長空間，長期來說，我國記憶體廠隨著商業務多元化布局、產品結構持續升級，仍可望扮演全球市場中少數的關鍵。
廠商減產、需求擴大，漲價有底氣
以DRAM來說，雖然2023年年末時序正值歐美假期，DRAM交易動能趨於平淡，但因庫存水位已明顯降低，且客戶端的備料及買賣意願增加，以及市場對於記憶體業2024年的共識為價格將持續上漲，故現貨端仍有零星購貨，部分料號價格小幅上漲，況且國際DRAM製造大廠對於供給端的釋出相對謹慎，仍處於減產的階段，故根據TrendForce集邦科技的預測資料可知，2024年第一季MobileDRAM季漲幅有望達18～23％，甚至不排除在寡頭市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況下，進一步墊高漲幅。
整體而言，有鑑於2023年以來迄今國內外DRAM大廠相繼減產終於讓晶片價格止跌，甚至又有來自於AI商機及先進電腦運算需求持續擴大，更增加業者醞釀漲價的底氣，故三星（Samsung）及美光（Micron）已規劃在2024年第一季將DRAM晶片價格調漲15～20％，顯然DRAM廠商持續藉由調整產線配置並擴大先進製程比重來維護獲利，因此市場普遍認為2024年第一季各大廠仍將繼續嚴格控制DRAM產能，進而激勵價格回升。
以NAND Flash而言，2024年第一季NAND Flash（eMMC/UFS）季漲幅有機會介於18％～23％，主要是隨著供需結構已經過一番調整，加上行業庫存落底，以及原廠減產效應作用，也由於智慧手機對於NAND Flash需求有所支撐，故全球該項記憶體的價格將延續先前2023年下半年的漲勢。值得留意的是，為了維持該項產業的正向發展，國際大廠透過價格上漲來達成獲利改善，將是各家NAND製造業者不得不採取的策略，寧願短期先放下市占率的搶奪，顯然逐步推高價格將勢在必行。
AI熱潮帶動HBM商機大爆發
事實上，觀察此波記憶體市場的商機，可尤其關注AI所帶來高頻寬記憶體（HBM）產品的成長潛力，畢竟儲存能力已成AI晶片性能升級的核心瓶頸，特別是HBM作為基於3D堆疊技術的高性能DRAM，等同打破記憶體頻寬及功耗瓶頸，顯然GPU性能的提升將不斷推動HBM技術升級，在此情況下，全球HBM市場規模將有機會從2023年的15億美元增至2030年的576億美元，等同此段時間的年複合成長率將達到68.3％。而有鑑於HBM量價齊升的商機浮現，全球三大DRAM廠商積極擴產，其中SK Hynix將於2024年擴產2倍，並導入10奈米技術，而三星、美光緊隨其後，同樣宣布大規模擴產，況且三大廠商也將積極讓HBM2進化到HBM3e、HBM4等，藉此讓HBM產品可持續升級來成為AI晶片算力提升的關鍵。
至於國內記憶體廠商，受惠於此波全球記憶體價格回升的大環境，加上台廠也在技術持續推進，例如南亞科自主開發DRAM10奈米製程將進入第二世代，預計2024年第二季開始驗證DDR4、DDR5產品，同時公司也持續設計LP DDR4跟LP DDR5產品，此將使得2024年國內記憶體業者營運績效將優於2023年。
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