全球無線通訊技術巨擘高通(Qualcomm)和公平會在今年(107年) 8月和解。原本公平會認定高通公司「以排除同業競爭、損害基頻晶片市場競爭等手段，違反我國公平交易法第九條」而對它進行開罰，但時經一年，高通承諾願以「投資取代罰金」之和解條件，將234億元之罰金轉為投資金額，在台灣進行為期五年的產業投資方案。其中，「台灣營運與製造工程暨測試中心」將落腳新竹科學園區，為高通在海外唯一與製造有關之研發中心，將直接把5G模組設計進駐台灣。國內業界對於此投資可望帶動我國5G產業之發展，均十分肯定。
近年來各國對於新能源、節能環保、智慧電網、5G網路、無線通訊、自駕車、遠距醫療等新技術之重視與發展之下，對高功率、高頻等寬能隙(Wide Bandgap)半導體元件的需求不斷擴大。高功率模組為可操作在高溫、高電壓與高頻率下的電子元件模組，傳統以矽材料製作的功率元件已接近其物理性能極限，在高電壓時耐受性差、轉換效率不佳，且有散熱的問題，因此寬能隙半導體材料的氮化鎵(GaN)等材料隨之興起。
由於5G之毫米波為高頻通訊，雖傳輸量極大，但訊號穿透力不佳，須以小型基地台做為中繼站以進行傳輸，隨著近年來5G網路技術研究的興起，因而帶動基地台等無線基礎設備之需求大增，加上物聯網(IoT)、互聯網等人與人、物與物、人與物間之通訊網絡及VR實境之發展崛起，使得無線基礎設施之設置與廣佈需求不斷上升，這些同步通訊之需求造就了GaN的使用契機，也因此帶動了高頻元件與應用之發展，互聯網的串聯需求，亦造就所需之頻寬增加，及無線基礎設施之需求提升，使得GaN在高頻元件之應用更顯重要。
我國傳統半導體代工產業為全球首屈一指，占有全球龍頭之地位，雖然十分具有發展寬能隙半導體之條件，惟在人員技術、設備資源以及政府投入有限之政策影響下，我國在寬能隙半導體之產業鏈中，投入之廠商較少，尚有許多發展潛力。
高通掌握了全球大多數手機無線通訊之晶片技術規格，為市場上獨占之地位，可說是5G的產業發展之重大推手之ㄧ，如今高通將製造有關之中心設立於台灣，對台灣5G產業界而言係一大利多，可謂站在巨人的肩膀上。今後若能把握此機會，在我國產業之技術能量提升後，將有望於5G國際產業鏈中找到我國廠商適合的立足點，並進而加入國際供應鏈，為我國半導體產業注入新動能。