全球功率半導體市場競爭格局較為分散，全球前五大廠商包括Infineon、ON Semi、STM、Mitsubishi、Toshiba等市占率合計僅超過4成，而高階產品主要由美歐日廠商所壟斷，中國本土業者多是以低階市場的經營為主，且整體功率半導體自給率偏低，主要是中國企業起步晚、技術水準較低、產品線較不齊全、企業規模小等，顯然中國在功率半導體市場尚處於追趕狀態。
不過由於中國為全球最大的功率半導體消費地區，2020年將持續高於4成，況且功率半導體的應用範圍已從傳統的工業控制和4C產業（電腦、通訊、消費類電子產品、汽車），擴展到新能源、軌道交通、智慧電網等新領域，而中國在熱點應用領域積極展開布局，皆可望成為功率半導體行業的突破口，故未來中國功率半導體的發展空間可期。
事實上，2020年中國功率半導體發展重心端看國產化替代趨勢的演進，主要是在美中貿易戰持續的刺激，以及中國執行半導體自主可控的戰略安全性原則、政府政策與產業基金或地方政府成立集成電路投資基金大力支持下，將加速發展，尤其是功率半導體器件在中國的工業、消費、軍事等領域都有廣泛應用，具有很高的戰略地位，故對岸功率半導體自主可控之路勢在必行，其中部分子領域有機會獲得突破。
由於歐美發展戰略已轉向汽車電子、物聯網等高毛利率領域，並逐步退出功率二極體業務，而台系廠商追求穩健營運，反而產能擴充相對保守，反觀中國功率二極體具備高性價比、憑藉較強成本控制能力在中低端領域逐步打開市場、貼近中國巨大的下游市場、回應需求速度快、服務到位等業務優勢，因而在本土需求龐大、國產替代確定、產能持續開出之發展策略下，中國功率二極體可望承接全球產能移轉的態勢。
至於MOSFET、IGBT等中國仍在尋求突破的契機，顯然在功率半導體行業，中國企業尚有很大的追趕空間，不過至少低壓領域的MOSFET可望實現替代，而中國IGBT發展時間較晚，但基本上已形成完整產業鏈，在消費電子、汽車等領域具備自己供給能力下，期待未來華虹、華潤微電子、中車、東光微、士蘭微等廠商在IGBT的發展進程；僅是先前透過外延購併方式取得技術及市場的策略，在國際氛圍越來越熱衷於技術及貿易保護政策下，中國企業過去的海外收購方式未來較難以複製。
至於新一代的化合物半導體，代表材料包括SiC、GaN，前者多用於高壓場合如智慧電網、軌道交通，後者則在高頻領域有更大的應用（如5G等），中國雖已積極展開布局，但畢竟起步時間較晚，因而短期內中國與國際技術差距仍大。