有鑑於AI應用加速普及、5G串起萬物聯網的海量數據，等同終端應用領域將驅動更高的運算效能需求，更何況後摩爾定律世代，新的晶片技術愈來愈難以達到過去成本降低與效能提升之水準，因而需透過記憶體的革新來縮短運算效能，顯然在先進技術匯集的趨勢下，記憶體將是重要的發展關鍵。
更何況中國在全球記憶體市場扮演重要的需求角色，故在中國原先就將建立完整半導體供應鏈的規畫，甚至有來自於美中貿易戰、中國去美國化的推波助瀾下，使2019至2020年中國官方和民間加速大舉建置記憶體產業鏈。
在此情況下，長江存儲在2019年9月已開始量產基於Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND Flash，未來也將提升到128層，同時其NAND Flash產能將於2020年中旬達到4萬片、年底為6萬片，以及紫光集團宣布將在四川重慶興建12吋晶圓廠投產DRAM，預定2021年導入量產之後，合肥長鑫自主研發DRAM 19奈米製程進入量產，初期預估每月產能約達2萬片，預計到2020年中旬將擴充至4萬片後，2020年將鎖定17奈米進行研發，以切入標準型PC應用產品為主。
甚至中國集成電路二期大基金入股江波龍，以及江波龍已與長江存儲及阿里巴巴店商平台天貓達成戰略合作，開發應用長江存儲的3D NAND Flash晶片，更正式量產JEDEC標準的DDR III產品；從上述的布局結構亦可知，中國官方將藉由一期、二期大基金來建構記憶體上游晶片製造延伸至下游模組及品牌，打造中國記憶體完整的生態系。
但是2020年中國整體記憶體產能占全球的比重恐尚僅有中個位數，尚不至於對國際市場供需構成威脅，且製程技術約落後全球主要供應商2至3個世代。而且短期內中國記憶體侵權疑慮尚無法完全排除，畢竟先前發生福建晉華與Micron陷入專利技術糾紛事件，而且本土記憶體廠所面臨的財務壓力仍大；不過中長期中國記憶體規模將逐步擴大，特別是官方給予強力扶植，紫光集團旗下NAND Flash廠長江存儲量產持續加速後，各國必將進行全面防範，後續發展值得觀察。
至於對全球主要記憶體供應國南韓與美國而言，資料傳輸需求增加已進一步刺激記憶體大廠新一波的布局，不過美中貿易戰對Samsung、SK Hynix、Micron來說將是弊多於利，以2018年Micron、SK Hynix記憶體銷售中國市場的占比分別達到57.0%、39.0%來看，美方的出口管制令的確有損廠商出貨給予中國業者的訂單。長期而言，隨著中國記憶體逐步由無到有，且持續提升半導體自產自銷的比重，未來南韓、美國、日本等全球主要記憶體廠商在中國的市場版圖勢必遭到侵蝕。