時事關注

我國5G發展濫觴-高通來台設置中心與台灣5G產業發展
李宜軒

2018/12/24

    全球無線通訊技術巨擘高通(Qualcomm)和公平會在今年(107) 8月和解。原本公平會認定高通公司「以排除同業競爭、損害基頻晶片市場競爭等手段,違反我國公平交易法第九條」而對它進行開罰,但時經一年,高通承諾願以「投資取代罰金」之和解條件,將234億元之罰金轉為投資金額,在台灣進行為期五年的產業投資方案。其中,「台灣營運與製造工程暨測試中心」將落腳新竹科學園區,為高通在海外唯一與製造有關之研發中心,將直接把5G模組設計進駐台灣。國內業界對於此投資可望帶動我國5G產業之發展,均十分肯定。
 

    近年來各國對於新能源、節能環保、智慧電網、5G網路、無線通訊、自駕車、遠距醫療等新技術之重視與發展之下,對高功率、高頻等寬能隙(Wide Bandgap)半導體元件的需求不斷擴大。高功率模組為可操作在高溫、高電壓與高頻率下的電子元件模組,傳統以矽材料製作的功率元件已接近其物理性能極限,在高電壓時耐受性差、轉換效率不佳,且有散熱的問題,因此寬能隙半導體材料的氮化鎵(GaN)等材料隨之興起。
 

    由於5G之毫米波為高頻通訊,雖傳輸量極大,但訊號穿透力不佳,須以小型基地台做為中繼站以進行傳輸,隨著近年來5G網路技術研究的興起,因而帶動基地台等無線基礎設備之需求大增,加上物聯網(IoT)、互聯網等人與人、物與物、人與物間之通訊網絡及VR實境之發展崛起,使得無線基礎設施之設置與廣佈需求不斷上升,這些同步通訊之需求造就了GaN的使用契機,也因此帶動了高頻元件與應用之發展,互聯網的串聯需求,亦造就所需之頻寬增加,及無線基礎設施之需求提升,使得GaN在高頻元件之應用更顯重要。
 

    我國傳統半導體代工產業為全球首屈一指,占有全球龍頭之地位,雖然十分具有發展寬能隙半導體之條件,惟在人員技術、設備資源以及政府投入有限之政策影響下,我國在寬能隙半導體之產業鏈中,投入之廠商較少,尚有許多發展潛力。

    高通掌握了全球大多數手機無線通訊之晶片技術規格,為市場上獨占之地位,可說是5G的產業發展之重大推手之ㄧ,如今高通將製造有關之中心設立於台灣,對台灣5G產業界而言係一大利多,可謂站在巨人的肩膀上。今後若能把握此機會,在我國產業之技術能量提升後,將有望於5G國際產業鏈中找到我國廠商適合的立足點,並進而加入國際供應鏈,為我國半導體產業注入新動能。

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